类别:芯片电阻-表面安装,描述:RES215OHM1/10W.02%0603,系列:RG,制造商:Susumu,电阻333Ω444:215,功率333W444:0.1W，1/10W,成分:薄膜,特性:-,温度系数:卤25ppm/掳C,容差:卤0.02%,封装__外壳:0603（1608公制）,供应商器件封装:0603（1608Metric）,

类别:晶体管(BJT)-阵列o预偏压式,描述:TRANSBRNPN/PNPDUAL50VSOT563,系列:-,制造商:ONSemiconductor,晶体管类型:1个NPN，1个PNP-预偏压式（双）,电流_集电极333Ic444111最大222:100mA,电压_集电极发射极击穿111最大222:50V,电阻器_基极333R1444111欧222:1k,电阻器_发射

类别:芯片电阻-表面安装,描述:RES1.05KOHM1/10W.02%0603,系列:RG,制造商:Susumu,电阻333Ω444:1.05k,功率333W444:0.1W，1/10W,成分:薄膜,特性:-,温度系数:卤10ppm/掳C,容差:卤0.02%,封装__外壳:0603（1608公制）,供应商器件封装:0603（1608Metr